Ученые Intel создали транзисторы с размером элементов 20 нанометров.

Ученые корпорации Intel создали самые быстрые кремниевые транзисторы в мире, тем самым продемонстрировав, что непреодолимых барьеров для продолжения действия закона Мура до конца этого десятилетия не существует. Новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят Intel создать примерно к 2007 г. микропроцессоры, которые будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта.

Исследователи Intel Labs рассказали об этих достижениях 18 июня в г. Киото, Япония, на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками — Silicon Nanoelectronics Workshop 2001.

20-нанометровые транзисторы, разработанные учеными Intel Labs, на 30% меньше и на 25% быстрее самых быстродействующих транзисторов, которые также были созданы специалистами Intel. (нанометр (нм) — одна миллиардная часть метра). Чем меньше транзистор, тем быстрее он работает, а быстродействующие транзисторы — это основные элементы мощных микропроцессоров, которые используются в компьютерах и множестве других «интеллектуальных» устройств. Такие транзисторы составят основу нового поколения технологических процессов 45 нм (0,045 мкм), которые Intel планирует внедрить в производство ориентировочно в 2007 г.

Самые свежие авто новости Украины и мира.

Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.




Май 2022
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
 1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031  


Архивы



Яндекс цитирования

Яндекс.Метрика




© 1994 - 2022 Бизнес и Компьютер