Корпорация Intel и компания Stmicroelectronics выпустили подсистему памяти для снижения расходов производителей сотовых телефонов
5 декабря 2005 г. компания STMicroelectronics и корпорация Intel объявили о совместном производстве подсистем флэш-памяти, предназначенных для снижения расходов OEM-производителей мобильных телефонов. Это позволит быстрее выводить на рынок мобильные телефоны с более богатыми функциональными возможностями. Стремясь упростить конструкцию памяти для мобильных телефонов, обе компании предоставят аппаратные и программные средства на базе совместных спецификаций. В результате производители мобильных телефонов смогут сократить время разработки новой продукции, снизить издержки и осуществить быстрый и экономичный переход к использованию нового поколения модулей флэш-памяти на базе технологии NOR, выпускаемых этими двумя компаниями.
NOR – наиболее распространенная технология флэш-памяти, применяемая производителями массовых моделей сотовых телефонов. Согласно отраслевым исследованиям фирмы iSuppi, 92,8% встроенной флэш-памяти выпускаемых мобильных телефонов изготовлено по этой технологии. Сегодня компании Intel и ST поставляют более 40% флэш-памяти NOR для мобильных телефонов.
Переход к созданию «второго источника» передовых флэш-модулей NOR и подсистем памяти знаменует начало совместной работы компаний ST и Intel над общими спецификациями памяти. Первой NOR-продукцией, независимо спроектированной и выпущенной обеими компаниями на базе совместных спецификаций, стали 512-мегабитные модули, изготовленные по передовой 90-нанометровой производственной технологии и использующие технологию многоуровневых ячеек (MLC – Multi-Level Cell). Сегодня эта продукция поставляется обеими компаниями. Совместная спецификация на подсистемы памяти будет распространена и на 65-нанометровую производственную технологию для выпуска MLC NOR-модулей и будет предназначена для создания однокристальных MLC NOR-модулей объемом 1 Гбит.
«Сегодня корпорация Intel и компания ST поставляют флэш-память NOR 10 ведущим мировым OEM производителям, – сказал Дэрин Биллербек (Darin Billerbeck), вице-президент и директор подразделения Flash Product Group корпорации Intel. – Благодаря нашим совместно разработанным подсистемам памяти для флэш-модулей NOR, выпускаемых по 90- и 65-нанометровой проектной норме, мы еще более укрепим наше лидерство на рынке сотовых телефонов».
«Компании ST и Intel объединили усилия, чтобы предоставить OEM-производителям сотовых телефонов стабильный источник флэш-модулей NOR, обеспечивающих значительное быстродействие, высокую плотность, низкое энергопотребление для мультимедийных телефонов с мегапиксельными фотокамерами, с поддержкой видео и высокоскоростного обмена данными, – заявил Джузеппе Кризенца (Giuseppe Crisenza), вице-президент подразделения Memory Products Group компании STMicroelectronics Memory Products Group. – Наши компании совместно работают над созданием дополнительных преимуществ для OEM-производителей мобильных телефонов, разрабатывают новые функциональные возможности, интерфейсы взаимодействия с памятью и встраивают технологии в подсистемы памяти, которые будут выпускаться по 65-нанометровой проектной норме».
Самые свежие авто новости Украины и мира.
Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.