Samsung наладила производство 12-ярусных стеков HBM3E для Nvidia
Компания Samsung начала массовое производство 12-ярусных стеков памяти HBM3E. Об этом сообщает издание ZDNet Korea. Производство стартовало в феврале после преобразования одной из производственных линий, ранее работавшей с низкой загрузкой.
Samsung рассчитывает получить официальное одобрение от Nvidia на использование новых стеков в ускорителях для систем искусственного интеллекта. Именно поэтому компания приняла решение начать массовый выпуск заблаговременно. По прогнозам, сертификация от Nvidia может быть получена в июне или июле 2025 года.
12-слойные чипы HBM3E от Samsung основаны на архитектуре DRAM 1a, относящейся к пятому поколению техпроцессов 10-нм класса. Они обеспечивают более высокую производительность по сравнению с решениями предыдущего поколения, которые ранее не смогли пройти тестирование Nvidia.
Производственные мощности Samsung позволяют выпускать от 120 000 до 130 000 единиц чипов HBM3E в месяц. Налаживание производственного процесса обычно занимает до шести месяцев, поэтому запуск в феврале дает компании стратегическое преимущество.
Крупнейший корейский производитель планирует удвоить выпуск чипов HBM в 2025 году — с 4 млрд до 8 млрд гигабит. За первый квартал компания произвела от 600 до 800 млн гигабит, что требует значительного ускорения темпов во втором полугодии.
Ожидается, что к концу года Nvidia перейдет на использование памяти HBM4 для ускорителей на архитектуре Rubin, что делает своевременную сертификацию HBM3E стеков особенно важной для Samsung.