Новая микросхема флэш-памяти StrataFlash от Intel способствует наращиванию производительности производительности беспроводных устройств.
26 сентября 2001 г. корпорация Intel представила новую микросхему флэш-
памяти, способствующую наращиванию производительности сотовых телефонных аппаратов, персональных ПК (PDA) и других беспроводных средств. Быстродействие синхронной флэш-памяти Intel StrataFlash с напряжением питания 3 В до четырех раз превышает показатели обычных микросхем флэш-памяти как при выполнении программного кода, так и при записи/считывании данных.
Новая микросхема, выполненная с использованием 0,18-микронной технологии, воплощает в себе достижения разработанной Intel многоуровневой сотовой технологии (MLC) третьего поколения, благодаря которой емкость каждой ячейки увеличивается вдвое.
Продукция семейства Intel StrataFlash, впервые выпущенная в 1997 году, представляет собой высокоэкономичное решение для выполнения программного кода и записи/считывания данных на одной микросхеме. В настоящее время микросхемы этого семейства, достоинства которых подтвердило время, получили наиболее широкое распространение на рынке продукции с применением технологии MLC.
Пополнив относительно недавно постоянно расширяющийся спектр продукции Intel для беспроводных средств, микросхемы флэш-памяти стали чрезвычайно удачным дополнением архитектуры персональных клиентских узлов Интернета (Intel Personal Internet Client Architecture, сокращенно Intel PCA), служащей основой разработки беспроводных переносных коммуникационных устройств, которые объединяют в себе средства голосовой связи с возможностью доступа в Интернет.
Режим форсированного потокового и постраничного обмена данными.
Высокая скорость считывания данных позволяет выполнять программный код приложений, загружаемый непосредственно из флэш-памяти вместо ОЗУ устройства, тем самым снижая потребность в дополнительной емкости дорогостоящей оперативной памяти и в крупногабаритных системных платах. Скорость считывания данныхвозрастает еще больше за счет применения в микросхемах синхронной флэш-памяти Intel StrataFlash потокового режима обмена данными с частотой 66 МГц, который увеличивает пропускную способность до 92
Мбит/с, что в четыре раза превышает показатели быстродействия обычной асинхронной флэш-памяти. Для устройств, не поддерживающих режим синхронного потокового обмена данными,
предусмотрен постраничный режим из восьми слов, который более чем вдвое повышает скорость считывания данных. Микросхемы синхронной флэш-памяти Intel StrataFlash, ядро которых использует напряжением три вольта, выпускается в двух вариантах подсистемы
ввода-вывода с напряжением питания 3 и 1,8 В.
Микросхемы синхронной памяти Intel StrataFlash можно применять в сочетании с разработанным корпорацией Intel программным обеспечением для обслуживания флэш-памяти, что повышает производительность устройств и сокращает сроки их выпуска на рынок. Так, например, утилита Intel Persistent Storage Manager упрощает проектирование переносных устройств под управлением операционной системы Windows CE благодаря тому,
что операции по выполнению программного кода, сохранению файлов и записи/считыванию данных объединены в одной микросхеме, тогда как программный пакет Intel Flash Data Integrator предоставляет аналогичные возможности сотовым телефонным аппаратам.
Микросхемы синхронной флэш-памяти Intel StrataFlash с напряжением 3 вольта будут выпускаться в различных модификациях емкостью от 64 до 256 Мбит. Производство опытных образцов микросхем на 128 Мбит уже началось, тогда как остальные модификации появятся в апреле 2002 года. Цены при поставках партиями в 10000 микросхем установлены в диапазоне от $10 за 64-мегабитные микросхемы до $35 за 256-мегабитные.
Самые свежие авто новости Украины и мира.
Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.