Корпорация Intel представила микросхему флэш-памяти на 0,13-микронной технологии.
23 октября 2001 г. корпорация Intel представила первую в отрасли микросхему флэш-памяти, созданную по 0,13-микронной технологии. Новая микросхема почти в два раза меньше по сравнению со своей 0,18-микронной предшественницей и имеет более низкие параметры энергопотребления, что делает ее идеальной для использования в сотовых телефонах, компьютерных приставках и других электронных устройствах, для которых компактность и низкое энергопотребление имеют решающее значение.
“Intel по-прежнему остается лидером отрасли по надежности флэш-памяти и техническим новшествам в области ее производства, – отметил Курт Николс, вице-президент и генеральный менеджер подразделения Intel Flash Products Group. – Корпорация Intel также является ведущим поставщиком флэш-памяти. Наша цель – начать поставки 0,13-микронных микросхем раньше, чем конкуренты начнут поставлять флэш-память, произведенную по 0,18-микронной технологии, что обеспечит первенство уже целых двух поколений продукции Intel по сравнению с предложениями других крупных поставщиков”.
Представленная микросхема усовершенствованной флэш-памяти загрузочного блока Intel Advanced+ Boot Block под напряжение 3 В относится к семейству флэш-памяти загрузочного блока Advanced Boot Block. На сегодняшний день продано уже более 700 млн. единиц продукции этого семейства, что делает данные микросхемы всемирным бестселлером в своем
классе. Новая память позволит сократить энергопотребление сотовых телефонов и других устройств за счет сохранения программного кода, используемого внутренним процессором для управления устройством. Эта микросхема также может хранить данные пользователя, например, записи в адресной книге.
Корпорация Intel стала первым в мире поставщиком, представившим 0,13-микронную продукцию массовому пользователю, когда в июле этого года анонсировала выход пяти
новых микропроцессоров для мобильных ПК, в том числе процессор Intel Pentium III-M. Intel также первой вывела на рынок 0,13-микронные процессоры для настольных компьютеров и
серверов. На прошлой неделе корпорация открыла второе собственное массовое производство
0,13-микронных полупроводников. К концу текущего года Intel планирует наладить выпуск
0,13-микронной продукции на четырех своих производствах в Соединенных Штатах.
Новая технология производства позволит создавать микросхемы флэш-памяти более высокой емкости. По мере того, как приложения для работы с Интернетом и большими объемами данных все теснее интегрируются с сотовыми телефонами, для работы этих приложений требуются все более сложные и высокоемкие микросхемы флэш-памяти. При этом такие микросхемы должны потреблять мало энергии и быть небольшими по размеру – это позволит продлить срок службы батарей сотовых телефонов и сохранить компактность их корпусов.
Новая флэш-память загрузочного блока Intel Advanced+ Boot Block сегодня предлагает производителям сотовых телефонов самую маленькую микросхему в мире емкостью 32 Мбит, которая более чем в 200 раз меньше той, которую корпорация Intel впервые представила на рынок в середине 80-х годов. Новая технология производства также позволит Intel создавать микросхемы флэш-памяти емкостью до 512 Мбит, что откроет производителям сотовых телефонов новые горизонты в области оснащения своей продукции более широким спектром возможностей и функций.
В 0,13-микронной технологии производства Intel используется самой быстрый в мире транзистор, самый маленький транзисторный затвор и самый тонкий подзатворный слой
оксида. Такое сочетание позволяет создавать самые производительные в отрасли продукты с
минимальным энергопотреблением.
Усовершенствованная флэш-память загрузочного блока Intel Advanced+ Boot Block под
напряжение 3 В будет выпускаться в виде микросхем емкостью 32 и 64 Мбит. Микросхемы емкостью 32 Мбит в настоящее время проходят испытания и будут запущены в производство
во втором квартале следующего года. Производство микросхем емкостью 64 Мбит начнется в
конце 2002 года.
Самые свежие авто новости Украины и мира.
Читайте также: Носледние новости Украины России и мира сегодня.