Компании Samsung и IBM придумали вертикальные транзисторы
IBM и Samsung на конференции IEDM продемонстрировали новую технологию вертикального размещения транзисторов на чипах.
Новая перспективная технология получила название Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).
Благодаря ей можно добиться высокой производительности процессора, или снизить энергопотребление в сравнении с текущими чипами производимыми по технологии FinFET.
Также VTFET позволила обойти «Закон Мура». По заявлению разработчиков, чипы, производимые по VTFET, будут потреблять на 85% энергии, или работать вдвое быстрее.
Пока не сообщается, когда VTFET начнет применяться в производстве процессоров.